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   金剛石、類金剛石薄膜技術(shù)，是指利用各種光學(xué)薄膜制作技術(shù)制作接近天然金剛石和人造單晶金剛石，有些范圍光的吸收率低到 1%;具有很高的硬度、良好的導(dǎo)熱性、耐腐蝕性以及化學(xué)穩(wěn)定性高--1000C(攝氏度)以上仍保持其化學(xué)穩(wěn)定性等特性。類金剛石碳(DLC)涂層的主要成分為碳是一種兼有高硬度和優(yōu)異摩擦性能的非晶體硬質(zhì)薄膜，一種非晶亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)，DLC膜的成份主要指sp3鍵和sp~2鍵，還可能含有一些雜質(zhì)相如C-H等

一、DLC薄膜性能

1、機(jī)械性能:高硬度和高彈性模量、優(yōu)異的耐磨性、低摩擦系

2、DLC膜中氫的含量超過40%門限時(shí)能獲得很低的摩擦系數(shù)，但過多的氫存在將降低膜與基體的結(jié)合力和表面硬度，使內(nèi)應(yīng)力增大。

3、電學(xué)性能:表面電阻高化學(xué)惰性大光學(xué)性能:DLC膜在可見光區(qū)通常是吸收的，在紅外區(qū)具有很高的透過率

4、穩(wěn)定性;亞穩(wěn)態(tài)的材料，熱穩(wěn)定性很差， 400攝氏度

二、DLC薄膜應(yīng)用

1、機(jī)械應(yīng)用

用于防止金屬化學(xué)腐蝕和劃傷方面，磁介質(zhì)保護(hù)膜

2、電子領(lǐng)域的應(yīng)用

ULSI芯片的制造:光刻電路板的掩膜ULSI的BEOL(線后端)互聯(lián)結(jié)構(gòu)的低K值的材料碳膜和DLC膜交替出現(xiàn)的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)造共振隧道效應(yīng)的多量子阱結(jié)構(gòu)DLC可作為平面板場發(fā)射顯示FED的電子發(fā)射器

3.光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

用在鍺光學(xué)鏡片上和硅太陽能電池上作為減反射膜塑料和聚碳酸脂等低熔點(diǎn)材料組成的光學(xué)透鏡表面抗磨損保護(hù)層DLC膜為性能極佳的發(fā)光材料之一: 光學(xué)隙帶范圍寬，室溫下光致發(fā)光和電致發(fā)光率都很高

4.醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

在人工心臟瓣膜的不銹鋼或欽合金表面沉積DLC膜能同時(shí)滿足機(jī)械性能、耐腐蝕性能和生物相溶性要求，人工關(guān)節(jié)承受面的抗磨層

三、DLC薄膜制備方法

物理氣相沉積

1、離子束沉積(IBD):采用等離子體濺射石墨靶形成大量的碳離子并通過電磁場加速使碳離子沉積于基體表面形成DLC膜

2、濺射沉積 特點(diǎn):沉積的離子能量范圍寬，主要分為: 直流濺射、射頻濺射、磁控濺射

3、磁過濾陰極弧沉積

4、脈沖激光沉積(PLD):

多功能的工藝方法，可以用來沉積從高溫超導(dǎo)體到硬質(zhì)涂層等多種不同性質(zhì)的材料。